Principales Características:
Tipo de Encapsulado: TO-92.
Transistor complementario 2SA733, A733.
Transistor equivalente a C945, NTE85.
Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN.
Voltaje Colector – Emisor (VCE): 50V.
Voltaje Colector – Base (VCB): 60V.
Voltaje Emisor – Base (VEB): 5V.
Corriente Colector (IC): 150mA.
Potencia Máxima Disipada (PD): 250 mW.
Ganancia Máxima (hFE): 600.
Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 190 MHz.
