Otros Com. Transistores FGH60N60 TECHMAN FGH60N60

*Fabricante Fairchild/ON Semiconductor.
*Tipo IGBT Tope de campo.
*Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max) 600V.
*Current – Collector (Ic) (Max) 80A.
*Current – Collector Pulsed (Icm) 120A.
*Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic 2.9 V a 15 V, 40 A.
*Power – Max 290W.
*Energía de conmutación 1.13 mJ (Encendido), 310 µJ (Apagado).
*Tipo de entrada Estándar.
*Carga de compuerta 120nC.
*Td (encendido/apagado) a 25°C 25 ns/115 ns.
*Condiciones de prueba 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V.
*Tiempo de recuperación inversa (trr) 45ns.
*Temperatura de operación -55 °C 150 °C (TJ).
*Tipo de montaje Orificio pasante.
*Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3.
*Paquete del dispositivo del proveedor TO-247.